Name: CSD86336Q3DT
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N/A CSD86336Q3DT

Artikelnummer:

CSD86336Q3DT

Hersteller / Marke:

N/A

Teil der Beschreibung.:

SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL

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None

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~~N/A CSD86336Q3DT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CSD86336Q3DT.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-VSON (3.3x3.3)
Serie	NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Leistung - max	6W
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 125°C

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET-Merkmal	Logic Level Gate, 5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A (Ta)
Konfiguration	2 N-Channel (Half Bridge)
Grundproduktnummer	CSD86336Q3
CSD86336Q3DT Einzelheiten PDF [English]	CSD86336Q3DT PDF - EN.pdf

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